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LN60A01ES-LF-Z

制造商：Monolithic Power Systems Inc.

批号：19+

数量：2000+

功能：MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

LN60A01ES-LF-Z 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • FET 类型3 N 沟道，共栅
  • FET 功能标准
  • 漏源电压（Vdss）600V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）80mA
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）190 欧姆 @ 10mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.2V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）-
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）-
  • 功率 - 最大值1.3W
  • 工作温度-20°C ~ 125°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC
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  • 可选

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